Analog IC Reliability in Nanometer CMOS

·
· Springer Science & Business Media
كتاب إلكتروني
198
صفحة
لم يتم التحقّق من التقييمات والمراجعات.  مزيد من المعلومات

معلومات عن هذا الكتاب الإلكتروني

This book focuses on modeling, simulation and analysis of analog circuit aging. First, all important nanometer CMOS physical effects resulting in circuit unreliability are reviewed. Then, transistor aging compact models for circuit simulation are discussed and several methods for efficient circuit reliability simulation are explained and compared. Ultimately, the impact of transistor aging on analog circuits is studied. Aging-resilient and aging-immune circuits are identified and the impact of technology scaling is discussed.

The models and simulation techniques described in the book are intended as an aid for device engineers, circuit designers and the EDA community to understand and to mitigate the impact of aging effects on nanometer CMOS ICs.

تقييم هذا الكتاب الإلكتروني

أخبرنا ما هو رأيك.

معلومات القراءة

الهواتف الذكية والأجهزة اللوحية
ينبغي تثبيت تطبيق كتب Google Play لنظام التشغيل Android وiPad/iPhone. يعمل هذا التطبيق على إجراء مزامنة تلقائية مع حسابك ويتيح لك القراءة أثناء الاتصال بالإنترنت أو بلا اتصال بالإنترنت أينما كنت.
أجهزة الكمبيوتر المحمول وأجهزة الكمبيوتر
يمكنك الاستماع إلى الكتب المسموعة التي تم شراؤها على Google Play باستخدام متصفح الويب على جهاز الكمبيوتر.
أجهزة القراءة الإلكترونية والأجهزة الأخرى
للقراءة على أجهزة الحبر الإلكتروني، مثل أجهزة القارئ الإلكتروني Kobo، عليك تنزيل ملف ونقله إلى جهازك. يُرجى اتّباع التعليمات المفصّلة في مركز المساعدة لتتمكّن من نقل الملفات إلى أجهزة القارئ الإلكتروني المتوافقة.