Current Trends In Heterojunction Bipolar Transistors
M F Chang
1996. g. janv. · Selected Topics In Electronics And Systems 2. grāmata · World Scientific
4,5star
4 atsauksmesreport
E-grāmata
440
Lappuses
family_home
Piemērota
info
reportAtsauksmes un vērtējumi nav pārbaudīti. Uzzināt vairāk
Par šo e-grāmatu
Recent advances in communication, digital signal processing and computational systems demand very high performance electronic circuits. Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) have the potential of providing a more efficient solution to many key system requirements through intrinsic device advantages. This book reviews the present status of GaAs, InP and silicon-based HBT technologies and their applications to digital, analog, microwave and mixed-signal circuits and systems. It represents the first major effort to cover the complete scope of the HBT technology development in the past decade, starting from the fundamental device physics, material growth, device reliability, scaling, processing, modeling to advanced HBT integrated circuit design for various system applications.
Vērtējumi un atsauksmes
4,5
4 atsauksmes
Novērtējiet šo e-grāmatu
Izsakiet savu viedokli!
Informācija lasīšanai
Viedtālruņi un planšetdatori
Instalējiet lietotni Google Play grāmatas Android ierīcēm un iPad planšetdatoriem/iPhone tālruņiem. Lietotne tiks automātiski sinhronizēta ar jūsu kontu un ļaus lasīt saturu tiešsaistē vai bezsaistē neatkarīgi no jūsu atrašanās vietas.
Klēpjdatori un galddatori
Varat klausīties pakalpojumā Google Play iegādātās audiogrāmatas, izmantojot datora tīmekļa pārlūkprogrammu.
E-lasītāji un citas ierīces
Lai lasītu grāmatas tādās elektroniskās tintes ierīcēs kā Kobo e-lasītāji, nepieciešams lejupielādēt failu un pārsūtīt to uz savu ierīci. Izpildiet palīdzības centrā sniegtos detalizētos norādījumus, lai pārsūtītu failus uz atbalstītiem e-lasītājiem.
