Dispersion Relations in Heavily-Doped Nanostructures
окт. 2015 г. · Springer Tracts in Modern Physics Книга 265 · Springer
1,0star
1 отзывreport
Электронная книга
625
Количество страниц
reportОценки и отзывы не проверены. Подробнее…
Об электронной книге
This book presents the dispersion relation in heavily doped nano-structures. The materials considered are III-V, II-VI, IV-VI, GaP, Ge, Platinum Antimonide, stressed, GaSb, Te, II-V, HgTe/CdTe superlattices and Bismuth Telluride semiconductors. The dispersion relation is discussed under magnetic quantization and on the basis of carrier energy spectra. The influences of magnetic field, magneto inversion, and magneto nipi structures on nano-structures is analyzed. The band structure of optoelectronic materials changes with photo-excitation in a fundamental way according to newly formulated electron dispersion laws. They control the quantum effect in optoelectronic devices in the presence of light. The measurement of band gaps in optoelectronic materials in the presence of external photo-excitation is displayed. The influences of magnetic quantization, crossed electric and quantizing fields, intense electric fields on the on the dispersion relation in heavily doped semiconductors and super-lattices are also discussed. This book contains 200 open research problems which form the integral part of the text and are useful for graduate students and researchers. The book is written for post graduate students, researchers and engineers.
Оценки и отзывы
1,0
1 отзыв
Оцените электронную книгу
Поделитесь с нами своим мнением.
Где читать книги
Смартфоны и планшеты
Установите приложение Google Play Книги для Android или iPad/iPhone. Оно синхронизируется с вашим аккаунтом автоматически, и вы сможете читать любимые книги онлайн и офлайн где угодно.
Ноутбуки и настольные компьютеры
Слушайте аудиокниги из Google Play в веб-браузере на компьютере.
Устройства для чтения книг
Чтобы открыть книгу на таком устройстве для чтения, как Kobo, скачайте файл и добавьте его на устройство. Подробные инструкции можно найти в Справочном центре.
