Ferroelectric Memories
James F. Scott
2013年6月 · Springer Series in Advanced Microelectronics 3 巻 · Springer Science & Business Media
5.0star
1 件のレビューreport
電子書籍
248
ページ
report評価とレビューは確認済みではありません 詳細
この電子書籍について
Ferroelectric memories have changed in 10 short years from academic curiosities of the university research labs to commercial devices in large-scale production. This is the first text on ferroelectric memories that is not just an edited collection of papers by different authors. Intended for applied physicists, electrical engineers, materials scientists and ceramists, it includes ferroelectric fundamentals, especially for thin films, circuit diagrams and processsing chapters, but emphazises device physics. Breakdown mechanisms, switching kinetics and leakage current mechanisms have lengthly chapters devoted to them. The book will be welcomed by research scientists in industry and government laboratories and in universities. It also contains 76 problems for students, making it particularly useful as a textbook for fourth-year undergraduate or first-year graduate students.
評価とレビュー
5.0
1 件のレビュー
この電子書籍を評価する
ご感想をお聞かせください。
読書情報
スマートフォンとタブレット
Android や iPad / iPhone 用の Google Play ブックス アプリをインストールしてください。このアプリがアカウントと自動的に同期するため、どこでもオンラインやオフラインで読むことができます。
ノートパソコンとデスクトップ パソコン
Google Play で購入したオーディブックは、パソコンのウェブブラウザで再生できます。
電子書籍リーダーなどのデバイス
Kobo 電子書籍リーダーなどの E Ink デバイスで読むには、ファイルをダウンロードしてデバイスに転送する必要があります。サポートされている電子書籍リーダーにファイルを転送する方法について詳しくは、ヘルプセンターをご覧ください。
