Quantum Capacitance In Quantized Transistors
thg 2 2024 · Series On The Foundations Of Natural Science And Technology Sách 17 · World Scientific
Sách điện tử
888
Trang
family_home
Đủ điều kiện
info
reportĐiểm xếp hạng và bài đánh giá chưa được xác minh Tìm hiểu thêm
Giới thiệu về sách điện tử này
In recent years, there has been considerable interest in studying the quantum capacitance (QC) in 2D quantum MOSFETs (QMOSFET) and 1D Nano Wire FET (NWFET) devices of various technologically important materials which find extensive applications in many directions in low dimensional electronics. The 2D and 1D electron statistics in inversion layers of MOSFETs can rather easily be varied by changing the gate voltage which, in turn, brings a change of the surface electric field, the QC depends on the gate-voltage. This first-of-its-kind book deals solely with the QC in 2D MOSFETs of non-linear optical, ternary, quaternary, III-V compounds, II-VI, IV-VI, stressed Kane type, Ge, GaP, Bismuth telluride, Gallium Antimonide and their 1D NWFETs counter parts. The influence of quantizing magnetic field, crossed electric and magnetic fields, parallel magnetic field, have also been considered on the QC of the said devices of the aforementioned materials. The influences of strong light waves and ultra-strong electric field present in nano-devices have also been considered. The accumulation layers of the quantum effect devices of the said materials have also been discussed in detail by formulating the respective dispersion relations of the heavily doped compounds. The QC in 1D MOSFET of the said materials have also been investigated in this context on the basis of newly formulated electron energy spectra in all the cases. The QC in quantum well transistors and magneto quantum well transistors together with CNTFETs have been formulated and discussed in detail along with I-V equations of ballistic QWFETs and NWFETs together with their heavily doped counter parts under different external physical conditions. In this context, experimental determinations are suggested of the Einstein relation for the Diffusivity-Mobility ratio, the Debye screening length, Elastic Constants and the content of this book finds twenty-two different applications in the arena of nanoscience and nanotechnology.This book contains hundred open research problems which form the integral part of the text and are useful for both PhD aspirants and researchers.
Xếp hạng sách điện tử này
Cho chúng tôi biết suy nghĩ của bạn.
Đọc thông tin
Điện thoại thông minh và máy tính bảng
Cài đặt ứng dụng Google Play Sách cho Android và iPad/iPhone. Ứng dụng sẽ tự động đồng bộ hóa với tài khoản của bạn và cho phép bạn đọc trực tuyến hoặc ngoại tuyến dù cho bạn ở đâu.
Máy tính xách tay và máy tính
Bạn có thể nghe các sách nói đã mua trên Google Play thông qua trình duyệt web trên máy tính.
Thiết bị đọc sách điện tử và các thiết bị khác
Để đọc trên thiết bị e-ink như máy đọc sách điện tử Kobo, bạn sẽ cần tải tệp xuống và chuyển tệp đó sang thiết bị của mình. Hãy làm theo hướng dẫn chi tiết trong Trung tâm trợ giúp để chuyển tệp sang máy đọc sách điện tử được hỗ trợ.
