Radiation Defect Engineering

·
· Selected Topics In Electronics And Systems 37. raamat · World Scientific
5,0
1 arvustus
E-raamat
264
lehekülge
Sobilik
Hinnangud ja arvustused pole kinnitatud.  Lisateave

Teave selle e-raamatu kohta

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials known presently are analyzed in detail and exciting new fields of research in this direction are discussed.

Hinnangud ja arvustused

5,0
1 arvustus

Hinnake seda e-raamatut

Andke meile teada, mida te arvate.

Lugemisteave

Nutitelefonid ja tahvelarvutid
Installige rakendus Google Play raamatud Androidile ja iPadile/iPhone'ile. See sünkroonitakse automaatselt teie kontoga ja see võimaldab teil asukohast olenemata lugeda nii võrgus kui ka võrguühenduseta.
Sülearvutid ja arvutid
Google Playst ostetud audioraamatuid saab kuulata arvuti veebibrauseris.
E-lugerid ja muud seadmed
E-tindi seadmetes (nt Kobo e-lugerid) lugemiseks peate faili alla laadima ja selle oma seadmesse üle kandma. Failide toetatud e-lugeritesse teisaldamiseks järgige üksikasjalikke abikeskuse juhiseid.