Strain-Engineered MOSFETs

Name: Strain-Engineered MOSFETs
Rating: 4.846153736114502 (13 reviews)

C.K. Maiti · T.K. Maiti

2018 ഒക്ടോ · CRC Press

4.8

13 അവലോകനങ്ങൾ

ഇ-ബുക്ക്

320

പേജുകൾ

യോഗ്യതയുണ്ട്

റേറ്റിംഗുകളും റിവ്യൂകളും പരിശോധിച്ചുറപ്പിച്ചതല്ല കൂടുതലറിയുക

ഈ ഇ-ബുക്കിനെക്കുറിച്ച്

Currently strain engineering is the main technique used to enhance the performance of advanced silicon-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). Written from an engineering application standpoint, Strain-Engineered MOSFETs introduces promising strain techniques to fabricate strain-engineered MOSFETs and to methods to assess the applications of these techniques. The book provides the background and physical insight needed to understand new and future developments in the modeling and design of n- and p-MOSFETs at nanoscale.

This book focuses on recent developments in strain-engineered MOSFETS implemented in high-mobility substrates such as, Ge, SiGe, strained-Si, ultrathin germanium-on-insulator platforms, combined with high-k insulators and metal-gate. It covers the materials aspects, principles, and design of advanced devices, fabrication, and applications. It also presents a full technology computer aided design (TCAD) methodology for strain-engineering in Si-CMOS technology involving data flow from process simulation to process variability simulation via device simulation and generation of SPICE process compact models for manufacturing for yield optimization.

Microelectronics fabrication is facing serious challenges due to the introduction of new materials in manufacturing and fundamental limitations of nanoscale devices that result in increasing unpredictability in the characteristics of the devices. The down scaling of CMOS technologies has brought about the increased variability of key parameters affecting the performance of integrated circuits. This book provides a single text that combines coverage of the strain-engineered MOSFETS and their modeling using TCAD, making it a tool for process technology development and the design of strain-engineered MOSFETs.

റേറ്റിംഗുകളും റിവ്യൂകളും

4.8

13 റിവ്യൂകൾ

രചയിതാവിനെ കുറിച്ച്

C K Maiti (Author) , T K Maiti (Indian Institute of Technology, Kharagpur, India Indian Institute of Technology, Kharagpur Indian Institute of Technology, Kharagpur Indian Institute of Technology, Kharagpur Indian Institute of Technology, Kharagpur) (Author)

ഈ ഇ-ബുക്ക് റേറ്റ് ചെയ്യുക

നിങ്ങളുടെ അഭിപ്രായം ഞങ്ങളെ അറിയിക്കുക.

വായനാ വിവരങ്ങൾ

സ്‌മാർട്ട്ഫോണുകളും ടാബ്‌ലെറ്റുകളും

Android, iPad/iPhone എന്നിവയ്ക്കായി Google Play ബുക്‌സ് ആപ്പ് ഇൻസ്‌റ്റാൾ ചെയ്യുക. ഇത് നിങ്ങളുടെ അക്കൗണ്ടുമായി സ്വയമേവ സമന്വയിപ്പിക്കപ്പെടുകയും, എവിടെ ആയിരുന്നാലും ഓൺലൈനിൽ അല്ലെങ്കിൽ ഓഫ്‌ലൈനിൽ വായിക്കാൻ നിങ്ങളെ അനുവദിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.

ലാപ്ടോപ്പുകളും കമ്പ്യൂട്ടറുകളും

Google Play-യിൽ നിന്ന് വാങ്ങിയിട്ടുള്ള ഓഡിയോ ബുക്കുകൾ കമ്പ്യൂട്ടറിന്‍റെ വെബ് ബ്രൗസർ ഉപയോഗിച്ചുകൊണ്ട് വായിക്കാവുന്നതാണ്.

ഇ-റീഡറുകളും മറ്റ് ഉപകരണങ്ങളും

Kobo ഇ-റീഡറുകൾ പോലുള്ള ഇ-ഇങ്ക് ഉപകരണങ്ങളിൽ വായിക്കാൻ ഒരു ഫയൽ ഡൗൺലോഡ് ചെയ്ത് അത് നിങ്ങളുടെ ഉപകരണത്തിലേക്ക് കൈമാറേണ്ടതുണ്ട്. പിന്തുണയുള്ള ഇ-റീഡറുകളിലേക്ക് ഫയലുകൾ കൈമാറാൻ, സഹായ കേന്ദ്രത്തിലുള്ള വിശദമായ നിർദ്ദേശങ്ങൾ ഫോളോ ചെയ്യുക.

നിയമവിരുദ്ധമായ ഉള്ളടക്കം റിപ്പോർട്ട് ചെയ്യുക