Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
gen. del 2007 · CRC Press
Llibre electrònic
440
Pàgines
family_home
Apte
info
reportNo es verifiquen les puntuacions ni les ressenyes Més informació
Sobre aquest llibre
A combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufacturing costs. Encompassing all of these areas, Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices addresses the research needs associated wi
Sobre l'autor
C.K Maiti, S Chattopadhyay, L.K Bera
Puntua aquest llibre electrònic
Dona'ns la teva opinió.
Informació de lectura
Telèfons intel·ligents i tauletes
Instal·la l'aplicació Google Play Llibres per a Android i per a iPad i iPhone. Aquesta aplicació se sincronitza automàticament amb el compte i et permet llegir llibres en línia o sense connexió a qualsevol lloc.
Ordinadors portàtils i ordinadors de taula
Pots escoltar els audiollibres que has comprat a Google Play amb el navegador web de l'ordinador.
Lectors de llibres electrònics i altres dispositius
Per llegir en dispositius de tinta electrònica, com ara lectors de llibres electrònics Kobo, hauràs de baixar un fitxer i transferir-lo al dispositiu. Segueix les instruccions detallades del Centre d'ajuda per transferir els fitxers a lectors de llibres electrònics compatibles.
