Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices
2007. jan. · CRC Press
E-könyv
440
Oldalak száma
family_home
Használható
info
reportAz értékelések és vélemények nincsenek ellenőrizve További információ
Információk az e-könyvről
A combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufacturing costs. Encompassing all of these areas, Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices addresses the research needs associated wi
A szerzőről
C.K Maiti, S Chattopadhyay, L.K Bera
E-könyv értékelése
Mondd el a véleményedet.
Olvasási információk
Okostelefonok és táblagépek
Telepítsd a Google Play Könyvek alkalmazást Android- vagy iPad/iPhone eszközre. Az alkalmazás automatikusan szinkronizálódik a fiókoddal, így bárhol olvashatsz online és offline állapotban is.
Laptopok és számítógépek
A Google Playen vásárolt hangoskönyveidet a számítógép böngészőjében is meghallgathatod.
E-olvasók és más eszközök
E-tinta alapú eszközökön (például Kobo e-könyv-olvasón) való olvasáshoz le kell tölteni egy fájlt, és átvinni azt a készülékre. A Súgó részletes utasításait követve lehet átvinni a fájlokat a támogatott e-könyv-olvasókra.
